我院单福凯教授课题组在微电子器件研究领域再次取得重要进展。该组一篇研究论文“Hole mobility modulation of solution-processed nickel oxide thin-film transistor based on high-k dielectric”在电子器件领域著名刊物《Applied Physics Letters》上在线发表，影响因子为3.3。论文链接：http://dx.doi.org/10.1063/1.4953460。
目前p型半导体材料一直是微电子器件集成亟待突破的重点研究领域，同时也是低功耗CMOS集成电路必不可少的组成部分。该论文运用廉价的溶胶凝胶打印技术制备了p型氧化镍（NiO）半导体薄膜并探索其在低压薄膜晶体管Thin-Film Transistors（TFTs）上的应用。这也是世界范围内首次利用廉价的溶胶技术制备p型NiO TFT器件。电学测试结果表明NiO TFT可以在2 V低压下稳定操作，仅利用干电池即可驱动，同时器件具备极高的空穴迁移率（~4.4 cm2/Vs）。该工作对低能耗CMOS器件的研发具有重要的意义。
该研究工作得到了两项国家自然科学基金面上项目的资助支持【溶液法制备超薄高k介电层和InMZnO体系透明薄膜晶体管的关键问题研究（项目研究期间四年：2015.1.1-2018.12.31），项目编号51472130；全水溶液工艺的高k介电薄膜的低温制备及TFT器件的集成（项目研究期间四年：2016.1.1-2019.12.31），项目编号51572135】专项资金的经费支持
